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首頁  >  產品分類  >  分立器件  >  功率模塊  >  IGBT模塊
品號 封裝 集電極
發射極電壓
VCES min.
集電極電流IC @
TC=80℃
飽和壓降
VCE(sat)typ.
最大耗散功率
PD max
關斷能量損耗典型值
Eoff typ.
Tj=125℃
最大結-殼熱阻
Rth(j-c)
max.(℃/W)
(V) (A) (V) (W) (mJ)
MG100HF12MRC1 C1 1200 100 1.9 415 10.1 0.1
MG100UZ12GJ GJ 1200 100 1.9 690 10.8 0.18
MG150HF12MRC2 C2 1200 150 2 880 9.6 0.085
MG200HF12MRC2 C2 1200 200 2 1150 21.6 0.045
MG75HF12MRC1 C1 1200 75 1.8 625 7.8 0.1
5 30 1/1           
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